专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]一种高可靠性交流电子开关-CN201621058460.0有效
  • 白玉明;吴鹤松;张海涛 - 无锡同方微电子有限公司
  • 2016-09-14 - 2017-04-19 - H03K17/08
  • 本实用新型一种高可靠性交流电子开关,包括MOSFET器件和IGBT器件,MOSFET器件为两个MOSFET器件串联而成,两个MOSFET器件的源极相连,其特征在于IGBT器件为两个IGBT器件串联而成,两个IGBT器件的发射极相连,MOSFET器件与IGBT器件之间并联连接,MOSFET器件的漏极与IGBT器件的集电极相连,且均接入交流电源的输入端,MOSFET器件的数量至少为一,IGBT器件的数量至少为一;本实用新型电子开关将一或多组MOSFET器件用IGBT器件代替,由于IGBT器件的通流能力强,且关断速度慢,关断时可以实现对MOSFET器件的保护,有效提高交流电子开关的可靠性
  • 一种可靠性交流电子开关
  • [发明专利]用于集成的MEMS器件的装置和方法-CN201780034773.3有效
  • 李彬;郭明宏;陈文志;蔡文森 - 动立方公司
  • 2017-04-04 - 2023-06-13 - B81C1/00
  • 一种用于MEMS器件的方法包括:接收具有设置在粘合基板上的多个器件并具有相关的已知良好器件数据的切割晶片;响应于已知良好器件数据,从粘合基板移除来自多个器件的第一器件;拾取第一器件并将其放置到测试平台内的多个插座中;测试第一集成器件,包括:在对第一器件施加物理应力时,向第一器件提供电力并接收来自第一器件的电响应数据;响应于电响应数据,从第一器件确定第二器件;拾取第二器件并将其放置到传输带介质中。
  • 用于集成mems器件装置方法
  • [实用新型]背光模组及显示装置-CN202123257088.X有效
  • 陈均华;刘发波;凡华;龚丹雷;黄国洪;闫钟海;林宇珊 - 佛山市国星光电股份有限公司
  • 2021-12-22 - 2022-06-24 - H01L25/075
  • 本实用新型涉及一种背光模组及显示装置,其中,背光模组包括LED器件和基板,LED器件设置在基板上,在基板上沿第一方向间隔设置有多组器件,每组器件包括多个沿第二方向间隔设置的LED器件,第一方向和第二方向呈夹角设置,相邻两器件的LED器件错开设置,以使在相邻两器件中,一器件内相邻两个LED器件与另一器件内的一个LED器件呈三角分布,LED器件外周轮廓呈圆形或正多边形。该背光模组的各个LED器件之间混光区域相比传统的矩阵排列的混光空缺区域更小,提升了各个LED器件的混光效果,进而提高背光模组的发光效果。
  • 背光模组显示装置
  • [实用新型]基于温差发电的环保手电筒-CN201620355618.4有效
  • 宋炎玲;洪亚东;杨鑫;朱延涛;杨春霞 - 河海大学
  • 2016-04-25 - 2016-11-09 - F21L4/08
  • 本实用新型提供一种基于温差发电的环保电手电筒,包括:依次相互连接的聚焦反射镜、发光二极管、手电筒外壳、半导体制冷器件散热面、温差发电器件阴面、半导体制冷器件蓄电池、温差发电器件蓄电池、半导体制冷器件吸热面及温差发电器件阳面、导线、半导体制冷器件散热面以及温差发电器件阴面;半导体制冷器件散热面和半导体制冷器件散热面贴在导热材料上;在手电筒外壳上放置导热材料,在发光二极管的管身上放置导热材料,半导体制冷器件的吸热面和温差发电器件的阳面上放置导热材料
  • 基于温差发电环保手电筒
  • [发明专利]增强型氮化镓器件位移损伤效应的测试方法及系统-CN202210252228.4在审
  • 郭红霞;白如雪;张鸿;张凤祁;胡嘉文;刘益维;钟向丽;欧阳晓平 - 湘潭大学
  • 2022-03-15 - 2022-06-14 - G01R31/26
  • 本发明公开了一种增强型氮化镓器件位移损伤效应的测试方法及系统,该方法包括:将待测器件进行分组编号,得到增强型氮化镓器件和耗尽型氮化镓器件;将增强型氮化镓器件和耗尽型氮化镓器件进行电学性能测试,并记录第一测试结果;将增强型氮化镓器件和耗尽型氮化镓器件进行质子辐照;将质子辐照后的增强型氮化镓器件和耗尽型氮化镓器件进行电学性能测试,并记录第二测试结果;基于增强型氮化镓器件的第二测试结果和第一测试结果的比较分析,得到第一比较结果;基于耗尽型氮化镓器件的第二测试结果和第一测试结果的比较分析,得到第二比较结果;基于第一比较结果和第二比较结果确定待测器件对位移损伤效应电荷收集的敏感区域。
  • 增强氮化器件位移损伤效应测试方法系统
  • [实用新型]线切割机用功率回路及脉冲电源系统-CN201921014061.8有效
  • 于佳怡 - 于佳怡
  • 2019-07-02 - 2020-11-03 - H02M9/00
  • 本实用新型涉及线切割技术领域,具体的说是一种能够有效提高工件切割质量的线切割机用功率回路及脉冲电源系统,其特征在于所述功率回路中设有第一电源、第一集成功率器件、第二集成功率器件、第三集成功率器件以及第四集成功率器件,其中第一集成功率器件、第二集成功率器件、第三集成功率器件以及第四集成功率器件中分别设有两个以上的功率器件,所述功率器件采用MOS管或IGBT管。
  • 切割机用功回路脉冲电源系统
  • [发明专利]电路结构及其驱动方法、神经网络-CN201710322907.3有效
  • 李辛毅;吴华强;宋森;张清天;高滨;钱鹤 - 清华大学
  • 2017-05-09 - 2020-05-05 - G06N3/063
  • 该电路结构包括:至少一个电路单元,每个电路单元包括第一阻变器件和第二阻变器件,第一阻变器件包括阻值渐变器件,第二阻变器件包括阻值突变器件,第一阻变器件和第二阻变器件串联连接,在未加电压的情况下,第一阻变器件的阻值大于第二阻变器件的阻值。该电路结构利用阻值渐变器件和阻值突变器件串联连接形成类神经元结构,以实现模拟人脑神经元的功能。阻值渐变器件的阻值在外加电压下缓慢变化,可以用于模拟生物树突的S型生长曲线的行为。
  • 电路结构及其驱动方法神经网络
  • [发明专利]一种SiC/Si混合并联开关器件及其优化控制方法-CN201610396071.7有效
  • 赵海伟;秦海鸿;朱梓悦;谢昊天 - 南京航空航天大学
  • 2016-06-07 - 2018-08-24 - H02M1/088
  • 本发明公开了一种SiC/Si混合并联开关器件及其优化控制方法,包括连接于开关器件的输入端和输出端之间的SiC器件及并联连接于SiC器件两端的Si器件;所述SiC器件由m个SiC器件并联组成,其中m为1以上的正整数;所述Si器件由n个Si器件并联组成,其中n为1以上的正整数;根据所述开关器件的输入端和输出端之间负载电流大小,控制SiC器件和Si器件开通或关断。本发明可最大程度的减小功率变换器的损耗,提高过载工作能力,扩大混合并联器件的安全工作区;并且,在提高功率变换器功率处理能力的同时使得功率器件的损耗尽可能小,同时降低系统的损耗和成本,并满足功率变换器的过载要求
  • 一种sicsi混合并联开关器件及其优化控制方法
  • [发明专利]用于电子器件的冷却组件-CN201810210940.1有效
  • 陈又维;蓝祎恺;周士杰 - 雅达电子国际有限公司
  • 2018-03-14 - 2023-04-07 - H05K1/02
  • 本发明涉及用于电子器件的冷却组件。根据本发明的一些方面,公开了用于电子器件的冷却组件。示例性冷却组件包括具有第一表面和与第一表面相对的第二表面的电路板、第一的电子器件、第二的电子器件和第三的电子器件。每组的电子器件包括至少两个电子器件,所述至少两个电子器件并联电联接并设置在电路板的第一表面上。所述第一中的至少一个电子器件与所述第二中的一个电子器件相邻并且与所述第三中的一个电子器件相邻。散热器与第一的电子器件、第二的电子器件和第三的电子器件热接触。
  • 用于电子器件冷却组件

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